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WD4000無圖晶圓幾何量測系統(tǒng)

簡要描述:WD4000無圖晶圓幾何量測系統(tǒng)自動測量 Wafer 厚度 、表面粗糙度 、三維形貌 、單層膜厚 、多層膜厚 。可廣泛應(yīng)用于襯底制造 、 晶圓制造 、及封裝工藝檢測 、3C 電子玻璃 屏及其精密配件、光學(xué)加工 、顯示面板 、MEMS 器件等超精密加工行業(yè) 。可測各類包括從光滑到粗糙 、低 反射率到高反射率的物體表面, 從納米到微米級別工件的厚度 、粗糙度 、平整度 、微觀幾何輪廓 、曲率等。

  • 廠商性質(zhì):生產(chǎn)廠家
  • 更新時間:2024-08-11
  • 訪  問  量:735

詳細(xì)介紹

品牌中圖儀器產(chǎn)地國產(chǎn)
加工定制

WD4000無圖晶圓幾何量測系統(tǒng)自動測量 Wafer 厚度 、表面粗糙度 、三維形貌 、單層膜厚 、多層膜厚 。使用光譜共焦對射技術(shù)測量晶圓 Thickness 、TTV 、LTV 、BOW 、WARP 、TIR 、SORI 等參數(shù), 同時生成  Mapping  圖; 采用白光干涉測量技術(shù)對  Wafer  表面進(jìn)行非接觸式掃描同時建立表面 3D 層析圖像, 顯示 2D  剖面圖和 3D  立體彩色視圖, 高效分析表面形貌 、粗糙度及相關(guān)  3D  參數(shù); 基于白光干涉圖的 光譜分析儀, 通過數(shù)值七點相移算法計算, 達(dá)到亞納米分辨率測量表面的局部高度, 實現(xiàn)膜厚測量功能;  紅外傳感器發(fā)出的探測光在 Wafer不同表面反射并形成干涉, 由此計算出兩表面間的距離(即厚度), 可 適用于測量 Bonding Wafer 的多層厚度 。該傳感器可用于測量不同材料的厚度, 包括碳化硅 、藍(lán)寶石 、氮化鎵 、硅等。

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WD4000無圖晶圓幾何量測系統(tǒng)可廣泛應(yīng)用于襯底制造 、 晶圓制造 、及封裝工藝檢測 、3C  電子玻璃 屏及其精密配件、光學(xué)加工 、顯示面板 、MEMS  器件等超精密加工行業(yè) ??蓽y各類包括從光滑到粗糙 、低 反射率到高反射率的物體表面, 從納米到微米級別工件的厚度 、粗糙度 、平整度 、微觀幾何輪廓 、曲率等, 提供依據(jù) SEMI/ISO/ASME/EUR/GBT  四大國內(nèi)外標(biāo)準(zhǔn)共計  300  余種 2D 、3D 參數(shù)作為評價標(biāo)準(zhǔn)。


產(chǎn)品優(yōu)勢

1、非接觸厚度 、三維維納形貌一體測量

集成厚度測量模組和三維形貌 、粗糙度測量模組, 使用一臺機(jī)器便可完成厚度 、TTV 、LTV、

BOW 、 WARP  、粗糙度 、及三維形貌的測量。

2、高精度厚度測量技術(shù)

采用高分辨率光譜共焦對射技術(shù)對  Wafer 進(jìn)行高效掃描 。

搭配多自由度的靜電放電涂層真空吸盤, 晶圓規(guī)格最大可支持至 12 寸 。

采 用  Mapping  跟隨技術(shù), 可編程包含多點 、 線 、 面的自動測量 。

3、高精度三維形貌測量技術(shù)

采用光學(xué)白光干涉技術(shù) 、精密  Z  向掃描模塊和高精度 3D  重建算法,Z  向分辨率高可到  0. 1nm;

隔振設(shè)計降低地面振動和空氣聲波振動噪聲, 獲得高測量重復(fù)性 。

機(jī)器視覺技術(shù)檢測圖像  Mark  點, 虛擬夾具擺正樣品, 可對多點形貌進(jìn)行自動化連續(xù)測量 。

4、大行程高速龍門結(jié)構(gòu)平臺

大行程龍門結(jié)構(gòu)  (400x400 x75mm), 移動速度  500mm/s。

高精度花崗巖基座和橫梁, 整體結(jié)構(gòu)穩(wěn)定 、 可靠 。

關(guān)鍵運(yùn)動機(jī)構(gòu)采用高精度直線導(dǎo)軌導(dǎo)引 、AC  伺服直驅(qū)電機(jī)驅(qū)動, 搭配分辨率 0. 1μm   的光柵

系統(tǒng), 保證設(shè)備的高精度 、 高效率 。

5、操作簡單 、輕松無憂

集 成  XYZ  三個方向位移調(diào)整功能的操縱手柄, 可快速完成載物臺平移 、 Z   向聚焦等測量前

準(zhǔn)工作。

具備雙重防撞設(shè)計, 避免誤操作導(dǎo)致的物鏡與待測物因碰撞而發(fā)生的損壞情況 。

具備電動物鏡切換功能, 讓觀察變得快速和簡單 。

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應(yīng)用場景

1、無圖晶圓厚度、翹曲度的測量

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通過非接觸測量,將晶圓上下面的三維形貌進(jìn)行重建,強(qiáng)大的測量分析軟件穩(wěn)定計算晶圓厚度、粗糙度、總體厚度變化(TTV),有效保護(hù)膜或圖案的晶片的完整性。


2、無圖晶圓粗糙度測量

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Wafer減薄工序中粗磨和細(xì)磨后的硅片表面3D圖像,用表面粗糙度Sa數(shù)值大小及多次測量數(shù)值的穩(wěn)定性來反饋加工質(zhì)量。在生產(chǎn)車間強(qiáng)噪聲環(huán)境中測量的減薄硅片,細(xì)磨硅片粗糙度集中在5nm附近,以25次測量數(shù)據(jù)計算重復(fù)性為0.046987nm,測量穩(wěn)定性良好。

懇請注意:因市場發(fā)展和產(chǎn)品開發(fā)的需要,本產(chǎn)品資料中有關(guān)內(nèi)容可能會根據(jù)實際情況隨時更新或修改,恕不另行通知,不便之處敬請諒解。


部分技術(shù)規(guī)格

型號WD4200
厚度和翹曲度測量系統(tǒng)
可測材料砷化鎵 、氮化鎵 、磷化 鎵、鍺、磷化銦、鈮 酸 鋰 、藍(lán)寶石 、硅 、碳化 硅 、玻璃等
測量范圍
150μm~2000μm
測量參數(shù)厚度、TTV(總體厚度變 化)  、LTV 、BOW、WARP  、平面度、線粗糙度
三維顯微形貌測量系統(tǒng)
測量原理白光干涉
測量視場0.96mm×0.96mm
可測樣品反射率
0.05%~ 100%
測量參數(shù)顯微形貌 、線/面粗糙度、空間頻率等三大 類300余種參數(shù)
系統(tǒng)規(guī)格
晶圓尺寸4"  、6"  、8"  、 12"
晶圓載臺防靜電鏤空真空吸盤載臺
X/Y/Z工作臺行程
400mm/400mm/75mm
工作臺負(fù)載≤5kg
外形尺寸1500× 1500×2000mm
總重量約 2000kg

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